版主: Jeff, Korping_Chang
 
 
 電路畫這樣子可以嗎?
 電路畫這樣子可以嗎?
 
 
 只要拿掉20PF的負載電容就變快了呀!
 只要拿掉20PF的負載電容就變快了呀!
 因為連1:1示波器探棒都有20PF電容, 耳機線應該不會低於20PF.......
 因為連1:1示波器探棒都有20PF電容, 耳機線應該不會低於20PF.......
 不詳細弄清楚負載狀況, 光說Rise Time 10nS或2000V/uS都只是廣告而已, 沒有多大意義!!!!!!!
 不詳細弄清楚負載狀況, 光說Rise Time 10nS或2000V/uS都只是廣告而已, 沒有多大意義!!!!!!!
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。
 可以請教您Ft的意義嗎?
 可以請教您Ft的意義嗎?
 Ft對於射極隨耦器又有何影響?
 Ft對於射極隨耦器又有何影響?
 頻率超過Ft時, 射極接面斷路了嗎???????????????
 頻率超過Ft時, 射極接面斷路了嗎??????????????? 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?


mtlin12 寫:kvl 寫:哈哈!不是計算的,是用軟體模擬的,在實際應用上1G與379M都不可能,但至少可看出達靈頓比DB快。
這樣表示軟體模擬的等效電路( modeling ),與實際可能存在不
少差異,因為在極高頻(>500MHz)時,電容、電感甚至於金線
以及半導體的spice參數可能都有變化,不能據以論述。就如IC
在次微米時其modeling可能完全不同於微米以上的時候。
 電路模擬的可貴就在於可以設定現實世界不可能存在的條件來做理論性的分析,也可以把現實世界的實際條件加進來做實際狀況的模擬。
 電路模擬的可貴就在於可以設定現實世界不可能存在的條件來做理論性的分析,也可以把現實世界的實際條件加進來做實際狀況的模擬。 製程不同,SPICE Model就不同,這是IC設計業界大家都知道的事情!
 製程不同,SPICE Model就不同,這是IC設計業界大家都知道的事情! 現在SPICE軟體的精確度已經到了難以想像的地步。
 現在SPICE軟體的精確度已經到了難以想像的地步。 如今做IC設計,如果不懂電路模擬(不管使用哪種模擬程式),根本甭想跟人談電路設計!
 如今做IC設計,如果不懂電路模擬(不管使用哪種模擬程式),根本甭想跟人談電路設計! 當發生模擬結果跟實際狀況不符時,必須去找出有哪些實際條件沒有考慮到,而不是輕易的否定模擬的可信度。
 當發生模擬結果跟實際狀況不符時,必須去找出有哪些實際條件沒有考慮到,而不是輕易的否定模擬的可信度。 kvl用無內阻、驅動能力無限大的理想訊號源,又沒負載電容、雜散電容,做出這種理論性的分析結果,並沒有什麼好懷疑的!
 kvl用無內阻、驅動能力無限大的理想訊號源,又沒負載電容、雜散電容,做出這種理論性的分析結果,並沒有什麼好懷疑的! 只要訊號源有100ohm內阻,電路輸出有50PF負載電容,模擬出來的結果大致上就會跟現實世界差不多。
 只要訊號源有100ohm內阻,電路輸出有50PF負載電容,模擬出來的結果大致上就會跟現實世界差不多。mtlin12 寫:否則應該有達靈頓的current buffer IC出現才對呀!實際卻不然。
 這種說法根本跟「在哪裡看過有人這樣算」的說法如出一轍!
 這種說法根本跟「在哪裡看過有人這樣算」的說法如出一轍! 世界上沒公開銷售、沒公開資料的IC多的是,電路設計的論文多到幾輩子都看不完!
 世界上沒公開銷售、沒公開資料的IC多的是,電路設計的論文多到幾輩子都看不完! 您不能用自己的孤陋寡聞去否定一切!
 您不能用自己的孤陋寡聞去否定一切!
 LH0063其實就相當於Low TIM Amp輸出級的電路接法,只是為了電路偏壓設計的方便,改用JFET源極隨耦器推BJT射極隨耦器而已。
 LH0063其實就相當於Low TIM Amp輸出級的電路接法,只是為了電路偏壓設計的方便,改用JFET源極隨耦器推BJT射極隨耦器而已。 這種方式既可以得到相當於Low TIM Amp輸出級的高速度,又可以解決電路偏壓的問題,自然使用BJT射極隨耦器推BJT射極隨耦器的Buffer就少了。
 這種方式既可以得到相當於Low TIM Amp輸出級的高速度,又可以解決電路偏壓的問題,自然使用BJT射極隨耦器推BJT射極隨耦器的Buffer就少了。mtlin12 寫:ft如何定義我不完全了解,可是1GHz真的超過小訊號2N5401 max.的300MHz太多了吧?!何況是中功率的MJE340?
 雙極性電晶體的ft指的是電晶體的β值(β值是雙極性電晶體Ic跟Ib的比值,這您知道吧!)降到1時的工作頻率。
 雙極性電晶體的ft指的是電晶體的β值(β值是雙極性電晶體Ic跟Ib的比值,這您知道吧!)降到1時的工作頻率。
 注意!雙極性電晶體在其ft頻率工作時,Ie=2Ib,表示雙極性電晶體射極隨耦器在其ft頻率工作時,還有兩倍的電流放大率!
 注意!雙極性電晶體在其ft頻率工作時,Ie=2Ib,表示雙極性電晶體射極隨耦器在其ft頻率工作時,還有兩倍的電流放大率!
 就算工作頻率高到β值降到0,這也僅僅表示Ic=0、Ie=Ib,雙極性電晶體射極隨耦器失去電流放大作用,而像一個順偏的PN接面二極體在工作,如此而已!
 就算工作頻率高到β值降到0,這也僅僅表示Ic=0、Ie=Ib,雙極性電晶體射極隨耦器失去電流放大作用,而像一個順偏的PN接面二極體在工作,如此而已!
 有關雙極性電晶體的ft對射極隨耦器的影響的問題,我在二十年前五專三年級時便已深入思考過了,而且在當時音響技術雜誌上我所發表的「你的放大器有多少迴轉率」一文也有提到,不信各位可以去翻出來看看。
 有關雙極性電晶體的ft對射極隨耦器的影響的問題,我在二十年前五專三年級時便已深入思考過了,而且在當時音響技術雜誌上我所發表的「你的放大器有多少迴轉率」一文也有提到,不信各位可以去翻出來看看。
 前輩既然連ft的定義都不完全了解,想必連作夢都沒思考過雙極性電晶體的ft對射極隨耦器的影響的問題!
 前輩既然連ft的定義都不完全了解,想必連作夢都沒思考過雙極性電晶體的ft對射極隨耦器的影響的問題!
 您既然對這個問題不了解,便斷然加以否定,未免把自己給神化了吧!
 您既然對這個問題不了解,便斷然加以否定,未免把自己給神化了吧! 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?



mtlin12 寫:LH0063 wensan兄有提出過,可是它也有些類似DB架構,我正CHECK
有關達靈頓電路在頻寬方面的問題,大學時代電晶體書讀太少了,手邊
更沒有教科書了,但是絕對不是神化自己,因為類比電路1GHz or 2ns
delay 絕對是特殊型架構,而非單純二級共集極電路就ok了,信不信?
 您把射極接面想成是二極體,這個問題就容易理解了!
 您把射極接面想成是二極體,這個問題就容易理解了!
 「盡信書不如無書」,書裡講的又不是絕對正確!
 「盡信書不如無書」,書裡講的又不是絕對正確!
 Cadence那些博士、教授級工程師,搞不好比教科書的作者更權威!
 Cadence那些博士、教授級工程師,搞不好比教科書的作者更權威! 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?

 本人所做的電路模擬都有附上電路圖。
 本人所做的電路模擬都有附上電路圖。
 如有任何人懷疑本人做假,可以自己去找Spice Model,照著電路圖RUN看看!
 如有任何人懷疑本人做假,可以自己去找Spice Model,照著電路圖RUN看看!
 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?


David Lin 寫:翩翩飛鳥,息我庭柯;歛翮閒止,好聲缸和.
豈無他人?念子實多,願言不獲,抱恨如何.
~取自五柳先生;停雲詩
給兩位消停消停氣忿
 這不是生不生氣的問題!
 這不是生不生氣的問題!
 而是他想要做實際狀況的模擬,那他儘管去做,又沒有人攔著他!
 而是他想要做實際狀況的模擬,那他儘管去做,又沒有人攔著他!
 但是他沒有權利禁止人家做理論性的模擬分析,更沒有資格否定理論性模擬分析的價值!
 但是他沒有權利禁止人家做理論性的模擬分析,更沒有資格否定理論性模擬分析的價值!
 IC設計在Layout前要先做Presim,Layout後再把雜散電容電感加進來做Postsim。
 IC設計在Layout前要先做Presim,Layout後再把雜散電容電感加進來做Postsim。
 Presim有Presim的價值,這是不容抹煞的!
 Presim有Presim的價值,這是不容抹煞的! 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?

wensan 寫:David Lin 寫:翩翩飛鳥,息我庭柯;歛翮閒止,好聲缸和.
豈無他人?念子實多,願言不獲,抱恨如何.
~取自五柳先生;停雲詩
給兩位消停消停氣忿
這不是生不生氣的問題!
而是他想要做實際狀況的模擬,那他儘管去做,又沒有人攔著他!
但是他沒有權利禁止人家做理論性的模擬分析,更沒有資格否定理論性模擬分析的價值!
IC設計在Layout前要先做Presim,Layout後再把雜散電容電感加進來做Postsim。
Presim有Presim的價值,這是不容抹煞的!


uuu 寫:你的振鈴現象
應該是
有加上包括電壓放大.迴授的完整放大器
可能要從這兩者.....電壓放大.迴授
逐級
去找出造成振鈴現象的原因.....



mtlin12 寫:再次感謝wensan兄您辛苦的模擬,看到本圖確實讓我體會一件事,就是『公親變事
主』。
 誰能了解Low TIM的奧義!?
 誰能了解Low TIM的奧義!?


kvl 寫:描述一下模擬電路:
DB--Q13上下各串一2mA電流源,其餘與DB-01一樣,訊號上
下各以1000uf交連進Q25、26之B腳。
LOW-TIM--以5個1N4148串聯偏壓,上下各串一2mA電流源,
訊號上下各以1000uf交連進B腳。
兩者用同一訊號源,供電為+-24V,第一級電流均為2mA。
當輸入1V時,差距有限,但輸入5V時,明顯看出DB充電時間較
長,差距在3倍以上。
Q25、26會進入截止區,即使只輸入1伏。
DB比用MOS快是沒問題的,但比LOW-TIM慢也是沒問題的。
我的軟體與文山兄的不同,但得到相同的結論--Q25、26會截
止,所以您的立論恐怕是有問題的。

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